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公司基本資料信息
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產(chǎn)品系列特征概述：
帶寬DC-500 MHz
CMRR高達(dá)55 dB
超低噪聲，NEP低至3.7 pW /√Hz
Si和InGaAs探測器，可用于320至1700 nm的光譜范圍
可切換的20 MHz低通濾波器可將寬帶噪聲降至很低
高達(dá)60,000 V / A的高增益，可兩階切換
可切換輸出耦合（AC / DC）
快速直流耦合監(jiān)控器輸出，帶寬為10 MHz
自由空間或光纖耦合輸入模式
1.035“-40螺紋自由空間輸入，與許多標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)兼容
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型號 |
HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-100M-60K-SI-FST HBPR-100M-60K-SI-FC |
HBPR-200M-30K-SI-FS |
HBPR-500M-10K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FC |
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Si-PIN 光電二極管 |
0.8 mm Ø |
0.8 mm Ø |
0.4 mm Ø, |
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光譜范圍 |
320 - 1000 nm |
320 - 1000 nm |
320 - 1000 nm |
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帶寬 (−3 dB) |
DC - 100 MHz |
DC - 200 MHz |
DC - 500 MHz |
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跨阻增益 (可切換) |
2.0 x 104 V/A |
1.0 x 104 V/A |
5.0 x 103 V/A |
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轉(zhuǎn)換增益 |
10.8 x 103 V/W typ. 32.4 x 103 V/W typ. (@ 850 nm) |
5.4 x 103 V/W typ. 16.2 x 103 V/W typ. (@ 850 nm) |
2.55 x 103 V/W typ. 5.1 x 103 V/W typ. (@ 760 nm) |
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zui小 NEP |
≤ 6.5 pW/√Hz (@850 nm) |
≤ 7.8 pW/√Hz (@850 nm) |
≤ 12 pW/√Hz (@760 nm) |
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NEP (@ 20 MHz) |
≤ 7.4 pW/√Hz (@850 nm) |
≤ 8.8 pW/√Hz (@850 nm) |
≤ 13 pW/√Hz (@760 nm) |
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共模 (典型值) |
50 dB |
45 dB |
40 dB |
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