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1. 高性能碳化硅（SiC）功率半導體器件

可以預見，碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料，其優點是：禁帶寬，工作溫度高（可達600°C），通態電阻小，導熱性能好，漏電流極小，PN結耐壓高等等。

2. 高頻磁技術

高頻開關變換器中用了多種磁元件，有許多基本問題要研究。

（1）隨著開關電源的高頻化，在低頻下可以忽略的某些寄生參數，在高頻下將對某些電路性能（如開關尖峰能量、噪聲水平等）產生重要影響。尤其是磁元件的渦流、漏電感、繞組交流電阻Rac和分布電容等，在低頻和高頻下的表現有很大不同。高頻磁技術理論作為學科前沿問題，仍受到人們的廣泛重視，如：磁心損耗的數學建模，磁滯回線的仿真建模，高頻磁元件的計算機仿真建模和CAD、高頻變壓器一維和二維仿真模型等。有待研究的問題還有：高頻磁元件的設計決定了高效率開關電源的性能、損耗分布和波形等，人們希望給出設計準則、方法、磁參數和結構參數與電路性能的依賴關系，明確設計的自由度與約束條件等。

（2）對高頻磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關注，如5~6μm超薄鈷基非晶態磁帶，1MHz（Bm=0.1T）時，損耗僅為0.7~1W/cm3，是MnZn高頻鐵氧體的1/3~1/4。納米結晶軟磁薄膜也在研究。

（3）研究將鐵氧體或其他薄膜材料高密度集成在硅片上。或硅材料集成在鐵氧體上，是一種磁電混合集成技術。磁電混合集成還包括利用電感箔式繞組層間分布電容實現磁元件與電容混合集成等。

3. 新型電容器

研究開發適合于功率電源系統用的新型電容器和超級大電容。要求電容量大、等效電阻（ESR）小、體積小等。據報道，美國在20世紀90年代末，已開發出330μF新型固體鉭電容，其ESR有顯著下降。

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